DMN32D4SDW-13

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DMN32D4SDW-13概述

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 650mA 290mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 50pF 0.6nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A 6-Pin SOT-363 T/R


DMN32D4SDW-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.65A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 50pF @15VVds

额定功率Max 290 mW

下降时间 22.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN32D4SDW-13
型号: DMN32D4SDW-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
替代型号DMN32D4SDW-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMN32D4SDW-13

Diodes 美台

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DMN32D4SDW-13和DMN32D4SDW-7的区别

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