DDTC115GUA-7-F参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTC115GUA-7-F概述

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT323

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 200mW

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

DeviceMart:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3

DDTC115GUA-7-F中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTC115GUA-7-F

型号： DDTC115GUA-7-F

制造商： Diodes 美台

描述：TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT323

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替代型号DDTC115GUA-7-F

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