DSS5240V-7

DSS5240V-7图片1
DSS5240V-7图片2
DSS5240V-7图片3
DSS5240V-7图片4
DSS5240V-7图片5
DSS5240V-7图片6
DSS5240V-7图片7
DSS5240V-7概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCESAT PNP SMT

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1.8A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-563


立创商城:
PNP 40V 1.8A


得捷:
TRANS PNP 40V 1.8A SOT563


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCESAT PNP SMT


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP DSS5240V-7 GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 1.8A 6-Pin SOT-563 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 1.8A 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 1.8A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS PNP 40V 1.8A SOT-563


DeviceMart:
TRANS BIPOLAR PNP -40V SOT-563


DSS5240V-7中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1.8A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DSS5240V-7
型号: DSS5240V-7
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCESAT PNP SMT

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台