DXT751-13

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DXT751-13概述

Trans GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

- 双极 BJT - 单 PNP 60 V 3 A 145MHz 1 W 表面贴装型 SOT-89-3


得捷:
TRANS PNP 60V 3A SOT89-3


立创商城:
PNP 60V 3A


艾睿:
Diodes Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their PNP DXT751-13 general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


DXT751-13中文资料参数规格
技术参数

频率 145 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DXT751-13
型号: DXT751-13
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

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