DDA144EH-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDA144EH-7概述

Trans Digital BJT PNP 100mA 6Pin SOT-563 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

DDA144EH-7中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDA144EH-7

型号： DDA144EH-7

制造商： Diodes 美台

描述：Trans Digital BJT PNP 100mA 6Pin SOT-563 T/R

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替代型号DDA144EH-7

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