DDTA115EUA-7

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DDTA115EUA-7概述

TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 100KW 100KW


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


DDTA115EUA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 82

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTA115EUA-7
型号: DDTA115EUA-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323
替代型号DDTA115EUA-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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