特点•小信号互补预偏置双晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻器？•无铅/ RoHS规定（注3）•表面贴装封装，适合于自动化装配
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features •SMALL SIGNAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED DUAL TRANSISTOR •Epitaxial Planar Die Construction •Built-In Biasing Resistors •Lead Free/RoHS Compliant Note 3 •Surface Mount Package Suited for Automated Assembly 描述与应用| 特点 •小信号互补预偏置双 •外延平面电路小片建设 •内置偏置电阻器？ •无铅/ RoHS规定（注3） •表面贴装封装，适合于自动化装配
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
封装 SC-70-6
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DCX114EU-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DCX114EU-7-F 美台 | 类似代替 | DCX114EU-7和DCX114EU-7-F的区别 |