单 P-沟道 20 V 1000 mOhm 2.1 nC 0.6 mW 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-363
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 900mA 450mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
立创商城:
2个P沟道 20V 900mA
贸泽:
MOSFET Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
极性 P-CH
耗散功率 0.6 W
输入电容 184 pF
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.9A
上升时间 88 ns
输入电容Ciss 184pF @10VVds
额定功率Max 450 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMP2200UDW-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMP2200UDW-13 美台 | 完全替代 | DMP2200UDW-7和DMP2200UDW-13的区别 |