DDTA115GE-7-F概述
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R
DDTA115GE-7-F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SOT-523
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free