DDTA113TUA-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTA113TUA-7概述

TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary NPN Types Available DDTC

• Built-In Biasing Resistor, R1 only

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1KW

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R

DDTA113TUA-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTA113TUA-7

型号： DDTA113TUA-7

描述：TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

替代型号DDTA113TUA-7