Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6Pin SOT-26 T/R
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 300MW 4.7KW
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-26 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-26 T/R
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDA143TK-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA143TK-7 美台 | 功能相似 | DDA143TK-7-F和DDA143TK-7的区别 |