MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 50V 280mA 200mW Surface Mount SOT-363
得捷:
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
贸泽:
MOSFET Dual N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-363 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 305 mA
通道数 2
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-CH
耗散功率 200 mW
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
连续漏极电流Ids 280 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMN5L06DW-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN5L06DWK-7 美台 | 类似代替 | DMN5L06DW-7和DMN5L06DWK-7的区别 |