DDTB114GU-7-F

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DDTB114GU-7-F概述

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SOT-323


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 40V 500mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 40V 500mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 40V 500mA 3-Pin SOT-323 T/R


DDTB114GU-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDTB114GU-7-F
型号: DDTB114GU-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K

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