DMN63D8LDW-13概述
N 沟道 30 V 2.8 Ω 0.3 W 表面贴装 增强模式 MosFet - SOT-363
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 220mA 300mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
贸泽:
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
DMN63D8LDW-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 0.4 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.26A
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 22pF @25VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 6.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC