DMT3009LDT-7 编带
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 30A 1.2W 表面贴装型 V-DFN3030-8(K 类)
得捷: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
立创商城: 2个N沟道半桥 30V 30A
贸泽: MOSFET MOSFET BVDSS
艾睿: Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 1.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VDFN3030-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册