DMN53D0LDW-13概述
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 50V 360mA 310mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
立创商城:
DMN53D0LDW-13
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
DMN53D0LDW-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.36A
上升时间 2.5 ns
正向电压Max 1.4 V
输入电容Ciss 46pF @25VVds
额定功率Max 310 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN53D0LDW-13引脚图与封装图 
替代型号DMN53D0LDW-13
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMN53D0LDW-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN53D0LDW-7 美台 | 完全替代 | DMN53D0LDW-13和DMN53D0LDW-7的区别 |