DDTA114GCA-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTA114GCA-7概述

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

DDTA114GCA-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTA114GCA-7

型号： DDTA114GCA-7

制造商： Diodes 美台

描述：双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KW

立即咨询

替代型号DDTA114GCA-7

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DDTA114GCA-7 Diodes 美台	当前型号	当前型号
DDTA114GCA-7-F 美台	完全替代	DDTA114GCA-7和DDTA114GCA-7-F的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DDTA114GCA-7

Diodes 美台

当前型号

DDTA114GCA-7-F

美台

完全替代

DDTA114GCA-7和DDTA114GCA-7-F的区别