特点•PNP预偏置小信号SOT-363双表面装载晶体管•外延平面电路小片建设•内置偏置电阻
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50v \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50v 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100ma/-0.1a 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | PNP型PRE-BIASED 双表面山 外延平面模施工 内置的偏置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 200 mW
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDA114YU-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA114YU-7-F 美台 | 完全替代 | DDA114YU-7和DDA114YU-7-F的区别 |
MUN5114DW1T1G 安森美 | 功能相似 | DDA114YU-7和MUN5114DW1T1G的区别 |
BCR185SH6327XTSA1 英飞凌 | 功能相似 | DDA114YU-7和BCR185SH6327XTSA1的区别 |