DDTC114GKA-7-F参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTC114GKA-7-F概述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

DDTC114GKA-7-F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

高度 1.3 mm

封装 SC-59-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTC114GKA-7-F

型号： DDTC114GKA-7-F

制造商： Diodes 美台

描述：Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R

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