DDTA114GUA-7

DDTA114GUA-7图片1
DDTA114GUA-7概述

1个PNP-预偏置

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased Surface Mount SOT-323


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


立创商城:
1个PNP-预偏置


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


DDTA114GUA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTA114GUA-7
型号: DDTA114GUA-7
制造商: Diodes 美台
描述:1个PNP-预偏置
替代型号DDTA114GUA-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTA114GUA-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DDTA114GUA-7-F

美台

完全替代

DDTA114GUA-7和DDTA114GUA-7-F的区别

BCR183WH6327XTSA1

英飞凌

功能相似

DDTA114GUA-7和BCR183WH6327XTSA1的区别

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