Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 100KW 100KW
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 82
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDTC115EUA-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTC115EUA-7-F 美台 | 类似代替 | DDTC115EUA-7和DDTC115EUA-7-F的区别 |
DTC115EUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | DDTC115EUA-7和DTC115EUAT106的区别 |
NSVMUN5236T1G 安森美 | 功能相似 | DDTC115EUA-7和NSVMUN5236T1G的区别 |