DMG4N60SK3-13概述
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
表面贴装型 N 通道 3.7A（Tc） 48W（Ta） TO-252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 TR
贸泽:
MOSFET 600V N-Ch Enh Mode 2.3Ohm 10V 3.7A
艾睿:
600V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG4N60SK3-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-CH
耗散功率 48 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 532pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 48W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free