DDTC115GUA-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTC115GUA-7概述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

DDTC115GUA-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTC115GUA-7

型号： DDTC115GUA-7

描述：Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

替代型号DDTC115GUA-7

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DDTC115GUA-7

Diodes 美台

当前型号

DDTC115GUA-7-F

美台

完全替代

PDTC115TU,115

恩智浦

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