DZT853-13

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DZT853-13概述

TRANS NPN 6A 100V MED PWR SOT223

- 双极 BJT - 单 NPN 130MHz 表面贴装型 SOT-223


得捷:
TRANS NPN 100V 6A SOT223-3


艾睿:
This NPN DZT853-13 general purpose bipolar junction transistor from Diodes Zetex is perfect for a circuit requiring high-current density and can operate in a high voltage range. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 100V 6A SOT223


DeviceMart:
TRANS NPN 6A 100V MED PWR SOT223


DZT853-13中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

极性 NPN

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DZT853-13
型号: DZT853-13
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS NPN 6A 100V MED PWR SOT223
替代型号DZT853-13
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