DDTB113EU-7-F

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DDTB113EU-7-F概述

PNP - 预偏压 500mA 50V

Are you looking to build a digital signal processing device? The PNP digital transistor, developed by Zetex, can provide a solution. This product"s maximum continuous DC collector current is 500 mA, while its minimum DC current gain is 33@50mA@5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

DDTB113EU-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDTB113EU-7-F
型号: DDTB113EU-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:PNP - 预偏压 500mA 50V
替代型号DDTB113EU-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTB113EU-7-F

Diodes 美台

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