1个NPN-预偏置 100mA 50V
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
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TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDTC115TE-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTC115TE-7 美台 | 完全替代 | DDTC115TE-7-F和DDTC115TE-7的区别 |
DDTC115TUA-7-F 美台 | 类似代替 | DDTC115TE-7-F和DDTC115TUA-7-F的区别 |