DMT6009LSS-13

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DMT6009LSS-13概述

N沟道 60V 10.8A

N-Channel 60V 10.8A Ta 1.25W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R; 2


立创商城:
N沟道 60V 10.8A


贸泽:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 10,8A 9,5mOhm SO-8 **


DMT6009LSS-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10.8A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 1925pF @30VVds

下降时间 15.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMT6009LSS-13
型号: DMT6009LSS-13
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 60V 10.8A

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