DMN3032LFDBQ-7概述
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.2A 1W 表面贴装型 U-DFN2020-6（B 类）
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
立创商城:
DMN3032LFDBQ-7
贸泽:
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
DMN3032LFDBQ-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.7 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.2A
上升时间 2.6 ns
输入电容Ciss 500pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1700 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UDFN2020-6
外形尺寸
封装 UDFN2020-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free