MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta） 890mW（Ta） PowerDI3333-8
得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 3V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 3V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 27.8 ns
输入电容Ciss 4310pF @15VVds
额定功率Max 890 mW
下降时间 13.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 890mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMS3012SFG-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMS3012SFG-7 美台 | 类似代替 | DMS3012SFG-13和DMS3012SFG-7的区别 |