DMN2028USS-13

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DMN2028USS-13概述

DIODES INC.  DMN2028USS-13  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.8 A, 20 V, 11 mohm, 4.5 V, 1 V

The is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It has been designed to minimize the ON-state resistance RDS ON and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

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Low ON-resistance
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Low input capacitance
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Fast switching speed
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Low output leakage
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ESD Protected up to 2KV
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Halogen-free, Green device
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Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
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Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
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UL94V-0 Flammability rating
DMN2028USS-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 11 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.56 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 9.8A

上升时间 12.49 ns

输入电容Ciss 1000pF @10VVds

额定功率Max 1.56 W

下降时间 12.33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.56W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 军用与航空, 国防, 车用, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DMN2028USS-13
型号: DMN2028USS-13
制造商: Diodes 美台
描述:DIODES INC.  DMN2028USS-13  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.8 A, 20 V, 11 mohm, 4.5 V, 1 V

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