DMN1029UFDB-7

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DMN1029UFDB-7概述

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6Pin UDFN EP T/R

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 12V 5.6A 1.4W 表面贴装型 U-DFN2020-6(B 类)


得捷:
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN2020 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R


DMN1029UFDB-7中文资料参数规格
技术参数

触点数 30

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 10.5 ns

额定电流Max 4.9A/触头

输入电容Ciss 914pF @6VVds

额定功率Max 1.4 W

下降时间 4.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN-6

外形尺寸

封装 UDFN-6

物理参数

外壳颜色 Black

触点材质 Phosphor Bronze

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN1029UFDB-7
型号: DMN1029UFDB-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6Pin UDFN EP T/R
替代型号DMN1029UFDB-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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