DDTC123TE-7-F参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTC123TE-7-F概述

双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SOT-523 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

DDTC123TE-7-F中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTC123TE-7-F

型号： DDTC123TE-7-F

制造商： Diodes 美台

描述：双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K

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替代型号DDTC123TE-7-F

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