DDTC115GCA-7

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DDTC115GCA-7概述

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


DDTC115GCA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTC115GCA-7
型号: DDTC115GCA-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3
替代型号DDTC115GCA-7
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