DMN2400UFB4-7

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DMN2400UFB4-7概述

DMN2400UFB4-7 编带

N-Channel 550 mO 20 V 0.75 A Surface Mount Enhancement Mode MosFet - DFN-H4


立创商城:
N沟道 20V 750mA


得捷:
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN


贸泽:
MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMN2400UFB4-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 470 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET, N Channel, Trans, 20V 0.75A DFN3


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN T/R


富昌:
N 沟道 550 mΩ 20 V 0.75 A 表面贴装 增强模式 MosFet - DFN-H4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4


DeviceMart:
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4


DMN2400UFB4-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.47 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.75A

上升时间 3.82 ns

输入电容Ciss 36pF @16VVds

额定功率Max 470 mW

下降时间 9.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 470mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMN2400UFB4-7
型号: DMN2400UFB4-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMN2400UFB4-7 编带
替代型号DMN2400UFB4-7
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