NPN - 预偏压 100mA 50V
4.7 kOhm / 47 kOhm NPN Pre-Biased 100 mA 200 mW Digital Transistor - SC-70
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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1个NPN-预偏置 100mA 50V
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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NPN Biased Signal Transistor SOT-323
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Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
DeviceMart:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-8
封装 SC-70-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
DDTC143ZUA-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTC143ZUA-7 美台 | 完全替代 | DDTC143ZUA-7-F和DDTC143ZUA-7的区别 |
DTC143ZUAFRAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DDTC143ZUA-7-F和DTC143ZUAFRAT106的区别 |
DTC143ZUA 罗姆半导体 | 功能相似 | DDTC143ZUA-7-F和DTC143ZUA的区别 |