DDTC114WE-7

DDTC114WE-7图片1
DDTC114WE-7图片2
DDTC114WE-7概述

TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523

- 双极 BJT - 单,预偏置


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 150mW


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523


DDTC114WE-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 24 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 24

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTC114WE-7
型号: DDTC114WE-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS NPN 150mW SOT523
替代型号DDTC114WE-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTC114WE-7

Diodes 美台

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