DDTC115TCA-7

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DDTC115TCA-7概述

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 100KW


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


DDTC115TCA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTC115TCA-7
型号: DDTC115TCA-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3
替代型号DDTC115TCA-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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当前型号

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