DN0150ALP4-7B

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DN0150ALP4-7B概述

TRANS NPN 50V 100mA DFN1006H4-3

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3


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DN0150ALP4-7B


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TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3


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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin DFN-H4 T/R


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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin DFN-H4 T/R


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TRANS NPN 50V 100MA DFN1006H4-3


Win Source:
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3


DN0150ALP4-7B中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 450 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 6V

额定功率Max 450 mW

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DN0150ALP4-7B
型号: DN0150ALP4-7B
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS NPN 50V 100mA DFN1006H4-3
替代型号DN0150ALP4-7B
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