DXT2011P5-13

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DXT2011P5-13概述

DXT2011P5-13 编带

Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

DXT2011P5-13中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 3.2 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

额定功率Max 3.2 W

直流电流增益hFE 230

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 POWERDI-5

外形尺寸

封装 POWERDI-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DXT2011P5-13
型号: DXT2011P5-13
制造商: Diodes 美台
描述:DXT2011P5-13 编带

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