DXT2222A-13

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DXT2222A-13概述

DXT2222A-13 编带

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary PNP Type Available DXT2907A

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Lead Free By Design/RoHS Compliant Note 1

• "Green" Device Note 2


得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3


立创商城:
NPN 40V 600mA


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN DXT2222A-13 GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


富昌:
DXT2222A 系列 40 V 600 mA 1 W NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-89-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3


DeviceMart:
TRANSISTOR BIPO NPN 40V SOT89-3


DXT2222A-13中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定功率 1 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

DXT2222A-13引脚图与封装图
DXT2222A-13引脚图
DXT2222A-13封装图
DXT2222A-13封装焊盘图
在线购买DXT2222A-13
型号: DXT2222A-13
制造商: Diodes 美台
描述:DXT2222A-13 编带
替代型号DXT2222A-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DXT2222A-13

Diodes 美台

当前型号

当前型号

2N3643

Central Semiconductor

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DXT2222A-13和2N3643的区别

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