DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13图片1
DMT6010LPS-13概述

MOSFET N-CH 60V 13.5A

表面贴装型 N 通道 13.5A(Ta),80A(Tc) 2.2W(Ta),113W(Tc) PowerDI5060-8


得捷:
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060


艾睿:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 13.5A


DMT6010LPS-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.2W Ta, 113W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 13.5A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 2090pF @30VVds

下降时间 9.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 113W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMT6010LPS-13
型号: DMT6010LPS-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N-CH 60V 13.5A

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