DCP55-13

DCP55-13图片1
DCP55-13图片2
DCP55-13概述

TRANS NPN 60V 1A SOT-223

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS NPN 60V 1A SOT-223


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


DCP55-13中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DCP55-13
型号: DCP55-13
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS NPN 60V 1A SOT-223
替代型号DCP55-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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