DMG4N60SJ3

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DMG4N60SJ3概述

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin3+Tab TO-251 Tube

通孔 N 通道 600 V 3A(Tc) 41W(Tc) TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


儒卓力:
**N-CH 650V 3A 2500mOhm TO251 **


DMG4N60SJ3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 41000 mW

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 532pF @25VVds

额定功率Max 41 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMG4N60SJ3
型号: DMG4N60SJ3
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin3+Tab TO-251 Tube

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