DSS5160V-7

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DSS5160V-7概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCESAT PNP SMT

Thanks to Zetex, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

DSS5160V-7中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 600 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DSS5160V-7
型号: DSS5160V-7
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCESAT PNP SMT
替代型号DSS5160V-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DSS5160V-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DPLS160V-7

美台

功能相似

DSS5160V-7和DPLS160V-7的区别

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