DMP6023LE-13

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DMP6023LE-13概述

P-沟道 60 V 28 mΩ 53.1 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-223

表面贴装型 P 通道 60 V 7A(Ta),18.2A(Tc) 2W(Ta) SOT-223-3


立创商城:
P沟道 60V 7A


得捷:
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 7A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 7A SOT223


DMP6023LE-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 P-CH

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 7.1 ns

输入电容Ciss 2569pF @30VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 62 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMP6023LE-13引脚图与封装图
DMP6023LE-13引脚图
DMP6023LE-13封装图
DMP6023LE-13封装焊盘图
在线购买DMP6023LE-13
型号: DMP6023LE-13
制造商: Diodes 美台
描述:P-沟道 60 V 28 mΩ 53.1 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-223

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