P-沟道 60 V 28 mΩ 53.1 nC 表面贴装 增强型 Mosfet - SOT-223
表面贴装型 P 通道 60 V 7A(Ta),18.2A(Tc) 2W(Ta) SOT-223-3
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P沟道 60V 7A
得捷:
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 7A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
针脚数 4
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 P-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 7.1 ns
输入电容Ciss 2569pF @30VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 62 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free