DMN1019USN-7

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DMN1019USN-7概述

DMN1019USN-7 编带

N-Channel 12V 9.3A Ta 680mW Ta Surface Mount SC-59


得捷:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59


立创商城:
N沟道 12V 9.3A


贸泽:
MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59


DMN1019USN-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 41 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.2 W

阈值电压 0.53 V

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 9.3A

上升时间 57.6 ns

输入电容Ciss 2426pF @10VVds

额定功率Max 680 mW

下降时间 16.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 680mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMN1019USN-7引脚图与封装图
DMN1019USN-7引脚图
DMN1019USN-7封装图
DMN1019USN-7封装焊盘图
在线购买DMN1019USN-7
型号: DMN1019USN-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMN1019USN-7 编带

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