P沟道 12V 200mA
表面贴装型 P 通道 200mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
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P沟道 12V 200mA
得捷:
MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin DFN T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3
极性 P-CH
耗散功率 0.36 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 55.4pF @10VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 186 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN-3
封装 DFN-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free