DMN10H120SFG-13 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.3 A, Vds=100 V, 8针 POWERDI3333封装
N-Channel 100V 3.8A Ta 1W Ta Surface Mount PowerDI3333-8
得捷:
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
贸泽:
MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
Allied Electronics:
MOSFET N-Ch 100V 3.4A POWERDI3333-8
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PowerDI 3333 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.4A
上升时间 1.8 ns
输入电容Ciss 549pF @50VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMN10H120SFG-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN10H120SFG-7 美台 | 完全替代 | DMN10H120SFG-13和DMN10H120SFG-7的区别 |