DGD1503S8-13

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DGD1503S8-13概述

IGBT/MOSFET栅极驱动器, 半桥, 10V至20V电源, 680ns/150ns延迟, SOIC-8

Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SO


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


贸泽:
Gate Drivers HV Gate Driver


e络盟:
IGBT/MOSFET栅极驱动器, 半桥, 10V至20V电源, 680ns/150ns延迟, SOIC-8


艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R


Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R


DGD1503S8-13中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 70ns, 35ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DGD1503S8-13
型号: DGD1503S8-13
制造商: Diodes 美台
描述:IGBT/MOSFET栅极驱动器, 半桥, 10V至20V电源, 680ns/150ns延迟, SOIC-8

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