DSM80101M-7参数规格_中文资料_数据手册PDF

DSM80101M-7概述

TRANS NPN 80V 0.5A SOT26

Bipolar BJT Transistor NPN + Diode Isolated 80V 500mA 600mW Surface Mount SOT-26

得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT26

DSM80101M-7中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @10mA, 1V

额定功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DSM80101M-7

型号： DSM80101M-7

描述：TRANS NPN 80V 0.5A SOT26